日商菱三商事　商品介紹東應化 PACKAGING

半導體後段封裝製程相關詳細產品特性 ( PACKAGING )

TOK MATERIAL LIST ( BUMPING )
類別	產品名	用途與製程
Plating 　正光阻　(BUMP)	PMER P-LA 系列	膜厚5~30 um 正光阻
	PMER P-7G 系列	顯影液
	PM-Thinner, OK-73 系列	稀釋液
	ST-104 系列	剝離液
Etching 　正光阻　(TAB, FPC)	PMER P-RZ30 系列	膜厚4~5 um 正光阻
	PMER P-1S 系列	顯影液
	PM-Thinner 系列	稀釋液
	PMER TL-600 系列	Back Coating 正光阻
	Stripper PS 系列	剝離液
Plating 　負光阻　(BUMP)	PMER N-CA 系列	膜厚30~80 um 負光阻
	PMER N-HC600	膜厚5~20 um 負光阻
	PMER P-7G 系列	顯影液
	PM-Thinner, OK-73 系列	稀釋液
	ST-104 系列	剝離液
Etching 　負光阻　(Lead Frame)	PMER N-D40P 系列	膜厚4~5 um 正光阻
	PMER N-A5D 系列	顯影液
	PMER Thinner N-D 系列	稀釋液

PHOTORESIST FOR PACKAGING MODULE

PRODUCTS INFORMATION
產品	特性概要
PMER-N (Negative type photoresist)	‧PMER-N type 為 Acryl 系 polimer 為主體在弱鹼性水溶液顯像的負光阻。
PMER-N (Negative type photoresist)	‧印刷製版用，chemical milling 用，印刷基板用，銘版用以及 eletroforming 用等高精度 etching，milling 光阻來開發的產品。
PMER-P (Positive type photoresist)	‧ PMER-P type 為高精密度蝕刻用的正光阻。
PMER-P (Positive type photoresist)	‧所適用的膜厚範圍很廣，印刷基板，chemical millinf，TAB 的 etching resist 都可以使用。
PMER P-LA900PM serials (Thick film positive type photoresist)	‧PMER P-LA900PM 系列為金電鍍所用之厚膜正光阻。
	‧與原來之電鍍用光阻 (P-AR900) 來比較的話在尺寸的控制上較佳，即使是置在 proximity 曝光的情形下也可以得到筆直的形狀，發揮高解析度。
	‧採用耐 chemical 性較好的樹脂的關係，可以形成高速 plating。
	‧ PMER P-LA900PM 的物性
	1. 外觀。。。淡紅色的透明液体
	2. 固態成份。。。40%
	3. 黏度。。。900mPa-s／25℃
	4. 溶劑。。。PGMEA 系列
BMR C-1000PM (Negative type photoresist)	‧BMR C-1000PM 為在 proximity 曝光對應的厚膜金電鍍所用的光阻，與原來之產品比較的話，可發現在 proximity 曝光時的 resist 之 profile 變得更好。並且，因專用顯像液而有的 SCUM 現象也變少可得到好的 profile，也可以得到高密度之 patterning。在強鹼 etching 及厚膜的 plating 部份等，在這很廣的範圍都可以適用。
	‧ BMR C-1000PM 的物性
	1. 固體成分濃度。。。40%
	2. 黏度。。。1000mPa-s／25℃
	3. 比重。。。1.04 (25℃)
	4. 主溶劑。。。PGMEA
	5. 閃火點。。。47℃
	6. 法規制度。。。勞安法，消防法 (危險物第四類第二石油類)
TFR (Solvent photoresist)	‧TFR-以 beneeling 為主体的油性負光阻。
TFR (Solvent photoresist)	‧TFR 為以化學技術研究所的發明為基礎，是以全新的合成法製造而成，特性為安定性高。
EPPR (Solvent photoresist)	‧EPPR (Solvent photoresist) EPPR 為擁有對紫外線的感光性，並且耐化學性很好的橡膠系為主體的油性負光阻。

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